AESD-2000 半导体器件全自动静电放电及门锁测试系统
支持HBM、MM、Latch-up测试的高效全自动测试系统
典型应用场景
半导体器件/集成电路(IC)日益向更高集成度和更高速度发展，对这些器件抗ESD和闩锁效应的可靠性评估也变得越来越重要。AESD-2000半导体器件全自动静电放电及闩锁测试系统是一款快速的、便捷的、全自动化的测试系统，可实现HBM(人体模型)、MM(机器模型)静电放电测试和LATCHUP(闩锁)测试，大大提高了测试效率，同时可进行DUT(被测器件)漏电流、I-V曲线测试，并完成失效判定
主要特点
1.高效、全自动的测试系统
2.多模式精准测试技术、支持HBM人体模型、MM机器模型静电放电试验和LU闩锁试验
3.可实现漏电流、I-V曲线测试
4.可测试多引脚的器件，可选配256pin、512pin、768pin或更多
5.具有高精度的多通道偏置/激励源、可编程时钟信号源
6.直观、便捷的智能化软件系统
主要技术指标
| 项目 Items | 技术指标 | |
| 电压范围 Voltage range | HBM测试 HBN test：±（10V~8000V） MM 测试 MM test：±（10V~2000V） | |
| 通道数 number of channels | 256/512/768(可定制 customizable) | |
| 步进 Step | 1V | |
| 放电阻容 Discharge resistance capacitance | HBM测试 HBM test：100pF/1500Ω MM测试 MMtest：200pF/0Ω | |
| 放电极性 Polarity of discharge | 正、负、正负交替 Positive, negative, alternating | |
| 放电次数 Numbers of discharge | 1~9999 | |
| 放电间隔 Interval of discharge | 0.1~30.0s，步进 Step: 0.1s | |
| LU偏置源 输出电压范围 LU Bias source Output voltage range | ±(0V~100V)，步进 Step: 50mV | |
| LU偏置源 最大输出电流 LU Bias source Maximum output current | 1A | |
| LU脉冲源 I-test脉冲电流输出范围 LU impulse source I-test pulse current output range | ±(1mA~1A)，步进 Step: 1mA | |
| LU脉冲源 I-test脉冲电流输出准确度 LU impulse source I-test pulse current output accuracy | ±(10%set+1mA) | |
| LU脉冲源 Vsupply过压试验脉冲电压输出范围 LU impulse source Vsupply overvoltage test pulse voltage output range | ±(0V~100V)，步进 Step: 0.1V | |
| LU脉冲源 Vsupply过压试验脉冲电压输出准确度 LU impulse source Vsupply overvoltage test pulse voltage output accuracy | ±(10% set+0.1V) | |
| LU脉冲源 脉冲次数 LU impulse source Number of pulses | 1~1000 | |
| LU脉冲源 脉冲间隔时间 LU impulse source Pulse interval time | 100ms~10s，步进 step: 100ms | |
| I-V源 电压测量范围 I-V test Voltage measurement range | ±(10mV~100V) | |
| I-V源 电压测量准确度 I-V test Voltage measurement accuracy | ±(0.1%rdg+0.2%rng) | |
| I-V源 电流测量范围 I-V test Current measurement range | ±(1μA~100mA) | |
| I-V源 电流测量准确度 I-V test Current measurement accuracy | ±(0.1%rdg+0.2%rng) | |
远方视频号
